제가 전공은 아니지만 내압을 올린다고 회로 전압이 올라간다는 말은 처음 들어보는것 같습니다.
그리고 이론과 실제가 다르다는 말을 가끔 보는데요.
만일 이론과 다르다면 그 이론은 수정되든지 폐기하는게 맞는게 아닌가요?
이론과 다르다면 그이론은 현상계를 설명할수없는 잘못된 이론으로 규정해야 맞을것 같은데요.
아주 거시적인 수준에서는 있는 일일지도 모르지만 실생활에서 이루어지는 정도의 현상계 내에서는 이론적으로 거의 모든게 설명이되야 맞지않을까요?
제가 전공을 했거나 실제 경험한바가 아니라 말씀이 완전히 이해가 가는것은 아닙니다만 대략은 이해가 갈것도 같구요.
전에부터 궁금해서 한번 여쭈어본것입니다.
분명 이론과 다르다면 이미 그이론은 어떤식으로든 수정되거나 폐기함이 마땅한데 왜 현상계를 설명하지도 못하는 이론이 존재되는가 하는것이죠. ^^
아주 특수한경우가 아니라면 내압이 커져도 사용상 차이가 발생하지 않습니다
참고로 캐패시터의 내압을 초과한 전압이 인가되면 캐패시터가 쇼트납니다 그런고로 적은것을 사용하면 캐패시터 전단부 회로가 터집니다
추가로 내용적의 경우 대부분 적정수준에서 좀더 큰것을 사용해도 무방한경우가 많기는하나
동일용량을 사용하는것이 이롭습니다 특히나 시정수에 관련하는 캐피시터의 경우 용적량이 달라지면 치명적인 오류가 발생하게됩니다
그리고 적은 용량을 사용하면 뒷단회로에서 충분한 전력을 얻지 못하여 오동작하는것이 일반적입니다
커패시터에 표기된 전압은 허용 가능한 최대 전압입니다. 그리고 온도는 규격에 표기된 시간 동안 가용한 용량을 보증하는 최대 온도입니다. 전해커패시터의 경우 동작 온도가 10도 낮아지면 수명(보통 85도 2000시간 이렇게 표시합니다)이 2배가 됩니다.
보통 전해캡은 전원부에 사용하기에 더 높은 전압 제품을 사용해도 전혀 상관 없습니다. 용량도 좀 더 높은 제품이나 낮은 제품을 사용해도 그다지 상관없으나 전압레벨이 변하는 곳에서는 평활 성능이 떨어질 수 있으므로 가급적 같거나 높은 용량을 사용하는게 좋습니다. 보통 전해캡의 용량은 내부 전해액의 손실에 따라서 줄어들기 때문입니다.
커패시터의 고장 모드는 종류별로 조금씩 다릅니다. 과전압이 가해졌다고 무조건 숏트는 아닙니다. 탄탈의 경우는 고장모드가 쇼트지만 세라믹의 경우 숏트도 있고 오픈도 있습니다. 메인보드에 사용되는 전해캡은 오픈입니다.그래서 중요한 전원부 같은 곳에는 탄탈을 쓰지 말라고도 권고했었지요.
등가회로상 캐패시터는 오픈형태입니다,.
내압은 캐패시터가 오픈형태로 유지되는 전압 차이이고 캐패시터의 유전체에 따라 달라집니다.
즉, 캐패시터를 배치함으로서 노리는 필터효과, 전압유지효과와 내압은
캐패시터의 내압을 넘지 않는 전압에서는 관계가 없습니다.
내압의 증대와 ESR등이 연계되어 회로 특성이 달라진다면 그건 그럴수도 있겠다.. 지만
일반적인 사용에 내압이 달라진다고 회로의 특성이 변화하지는 않습니다.
일반적으로 회로를 설계할 때 내압은 실제 가해질 것으로 생각되는 최대 전위차이의 50~70%로 산정합니다.
캐패시터는 대개 오차 범위가 큰데다 (세라믹 0.1uF는 많이 사용하는 Z타입 오차범위가 표기의 50%입니다)
시간이 지남에 따라 유전체의 손실, 스트레스로 인한 성능저하로 점차 용량이 떨어지는 부품이라
견고한 회로일수록 실제 예상되는 전위차이보다 여유를 둬서 큰 내압의 제품을 사용합니다.
그리고 실제 결과가 이론과 다른경우도 이론으로 설명 가능해야 실제 이론입니다..
V=IR만해도 실제 측정값과 V=IR결과와 다릅니다. 다르지 않다면 그건 측정장치의 오차입니다.
V와 I는 절대치이지만 R은 주변 온도에 따라 변화할 수 있는 파라미터기 때문입니다.
정말 이론과 실제가 다르다면 그건 "이론"으로 검증되기 이전의 "가설" 수준의 이론입니다.
탄탈도 내부 구성에 따라 스트레스 파괴시 오픈일수도, 쇼트일수도 있고
가해지는 전위가 내압보다 살짝 높다고 회로가 바로 못쓰게 되지는 않습니다.
소주한병
가격도 고전압에서 작동 보증해주는 녀석이 더 비싸고요..
제가 아는 (물리적인, 교과서적인) 지식의 한도 내에서는 그럴 수 없는데
이론과 실제는 다를 수 있어서 의문을 가져봅니다.
그리고 이론과 실제가 다르다는 말을 가끔 보는데요.
만일 이론과 다르다면 그 이론은 수정되든지 폐기하는게 맞는게 아닌가요?
이론과 다르다면 그이론은 현상계를 설명할수없는 잘못된 이론으로 규정해야 맞을것 같은데요.
아주 거시적인 수준에서는 있는 일일지도 모르지만 실생활에서 이루어지는 정도의 현상계 내에서는 이론적으로 거의 모든게 설명이되야 맞지않을까요?
실제에 사용되는 파라미터는 많은데 그에 비해서 이론에서 사용하는 파라미터는 적을 경우 입니다.
전에부터 궁금해서 한번 여쭈어본것입니다.
분명 이론과 다르다면 이미 그이론은 어떤식으로든 수정되거나 폐기함이 마땅한데 왜 현상계를 설명하지도 못하는 이론이 존재되는가 하는것이죠. ^^
참고로 캐패시터의 내압을 초과한 전압이 인가되면 캐패시터가 쇼트납니다 그런고로 적은것을 사용하면 캐패시터 전단부 회로가 터집니다
추가로 내용적의 경우 대부분 적정수준에서 좀더 큰것을 사용해도 무방한경우가 많기는하나
동일용량을 사용하는것이 이롭습니다 특히나 시정수에 관련하는 캐피시터의 경우 용적량이 달라지면 치명적인 오류가 발생하게됩니다
그리고 적은 용량을 사용하면 뒷단회로에서 충분한 전력을 얻지 못하여 오동작하는것이 일반적입니다
설치하는데 문제가 없다면 저 같으면 좋아라 그러고 사용합니다.
보통 전해캡은 전원부에 사용하기에 더 높은 전압 제품을 사용해도 전혀 상관 없습니다. 용량도 좀 더 높은 제품이나 낮은 제품을 사용해도 그다지 상관없으나 전압레벨이 변하는 곳에서는 평활 성능이 떨어질 수 있으므로 가급적 같거나 높은 용량을 사용하는게 좋습니다. 보통 전해캡의 용량은 내부 전해액의 손실에 따라서 줄어들기 때문입니다.
커패시터의 고장 모드는 종류별로 조금씩 다릅니다. 과전압이 가해졌다고 무조건 숏트는 아닙니다. 탄탈의 경우는 고장모드가 쇼트지만 세라믹의 경우 숏트도 있고 오픈도 있습니다. 메인보드에 사용되는 전해캡은 오픈입니다.그래서 중요한 전원부 같은 곳에는 탄탈을 쓰지 말라고도 권고했었지요.
내압은 캐패시터가 오픈형태로 유지되는 전압 차이이고 캐패시터의 유전체에 따라 달라집니다.
즉, 캐패시터를 배치함으로서 노리는 필터효과, 전압유지효과와 내압은
캐패시터의 내압을 넘지 않는 전압에서는 관계가 없습니다.
내압의 증대와 ESR등이 연계되어 회로 특성이 달라진다면 그건 그럴수도 있겠다.. 지만
일반적인 사용에 내압이 달라진다고 회로의 특성이 변화하지는 않습니다.
일반적으로 회로를 설계할 때 내압은 실제 가해질 것으로 생각되는 최대 전위차이의 50~70%로 산정합니다.
캐패시터는 대개 오차 범위가 큰데다 (세라믹 0.1uF는 많이 사용하는 Z타입 오차범위가 표기의 50%입니다)
시간이 지남에 따라 유전체의 손실, 스트레스로 인한 성능저하로 점차 용량이 떨어지는 부품이라
견고한 회로일수록 실제 예상되는 전위차이보다 여유를 둬서 큰 내압의 제품을 사용합니다.
그리고 실제 결과가 이론과 다른경우도 이론으로 설명 가능해야 실제 이론입니다..
V=IR만해도 실제 측정값과 V=IR결과와 다릅니다. 다르지 않다면 그건 측정장치의 오차입니다.
V와 I는 절대치이지만 R은 주변 온도에 따라 변화할 수 있는 파라미터기 때문입니다.
정말 이론과 실제가 다르다면 그건 "이론"으로 검증되기 이전의 "가설" 수준의 이론입니다.
탄탈도 내부 구성에 따라 스트레스 파괴시 오픈일수도, 쇼트일수도 있고
가해지는 전위가 내압보다 살짝 높다고 회로가 바로 못쓰게 되지는 않습니다.