메모리 읽는 방법

조영진   
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제조사별 구분

HY (HYUNDAI)

Part # Suffix Performance Cycle Time Access Time

                            (tCLK)      (tAC)

 

    -10       NOT PC100    10 ns.      8 ns.

    -10S        PC100      10 ns.      6 ns.

    -10P        PC100      10 ns.      6 ns.

     -8         PC100       8 ns.      6 ns.

 

SEC (SAMSUNG)

Part # Suffix Performance Cycle Time Access Time

 

                           (tCLK)      (tAC)

    -10       NOT PC100    10 ns.      7 ns.

    -GL         PC100      10 ns.      6 ns.

    -GH         PC100      10 ns.      6 ns.

     -8         PC100       8 ns.      6 ns.

 

 

삼성 램 번호 읽는 법

 

KM 4 xx S xx x x x x x - x  xx

1 2  3 4  5 6 7 8 9 10  11 12

 

1 = SAMSUNG MEMORY

2 = DRAM

3 = ORGANIZATION :    4 = x4 , 8 = x8 , 16 = x16

4 = FEATURE   :  S = SDRAM

5 = DENSITY   :  1 = 1M ,2 = 2M ,4 = 4M ,8 = 8M ,16 = 16M

6 = REFRESH   :  0 = 4K , 1 = 2K , 2 = 8K

7 = NUMBER OF BANKS  :  2 = 2 Banks , 3 = 4 Banks

8 = INTERFACE  :  0 = LVTTL , 1 = SSTL

9 = REVISION  :  Blank = 1st , A = 2nd , B = 3rd

10 = PACKAGE  :  T = TSOP II (400mil)

11 = POWER  :  G = Auto & Self-Refresh ,
               F = Auto & Self-Refresh

               w/Low Power

12 = MIN. CYCLE TIME(Max. Frequency)

    7 = 7ns(143MHz)

    8 = 8ns(125 MHz)

    10 = 10ns(100 MHz)

    H = 100 MHz @ CL-2

    L = 100 MHz @ CL-3

(참고 CL = Cycle Length)
 
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