SDRAM ¿¡ ´ëÇØ Áú¹®µå¸³´Ï´Ù..

ÀÌ´ë·Î   
   Á¶È¸ 12475   Ãßõ 13    

¸Þ¸ð¸® ¸ðµâ ¼Ó¼º
¸ðµâ¸í Samsung KMM3 66S 823DTS-GL
ÀÏ·Ã ¹øÈ£ 39F2EE00h
¸ðµâ Å©±â 64 MB (1 rows, 4 banks)
¸ðµâ À¯Çü Unbuffered
¸Þ¸ð¸® À¯Çü SDRAM
¸Þ¸ð¸® ¼Óµµ PC100 (100 MHz)
¸ðµâÆø 64 bit
¸ôµâ Àü¾Ð LVTTL
¿À·ù °ËÃâ ¹æ¹ý ¾øÀ½
°»½ÅÀ² º¸Åë (15.625 us), Self-Refresh
ÃÖ°í CAS Áö¿¬½Ã°£ 3.0 (10.0 ns @ 100 MHz)
2¹ø° ÃÖ°í CAS Áö¿¬½Ã°£ 2.0 (12.0 ns @ 83 MHz)

¸Þ¸ð¸® ¸ðµâ Ư¡
Early RAS# Precharge ¹ÌÁö¿ø
Auto-Precharge Áö¿ø
Precharge All Áö¿ø
Write1/Read Burst Áö¿ø
Buffered Address/Control Inputs ¹ÌÁö¿ø
Registered Address/Control Inputs ¹ÌÁö¿ø
On-Card PLL (Clock) ¹ÌÁö¿ø
Buffered DQMB Inputs ¹ÌÁö¿ø
Registered DQMB Inputs ¹ÌÁö¿ø
Differential Clock Input ¹ÌÁö¿ø
Redundant Row Address ¹ÌÁö¿ø

¸Þ¸ð¸® ¸ðµâ Á¦Á¶ÀÚ
ȸ»ç¸í Samsung
Á¦Ç° Á¤º¸http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

--------------------------------------------------------------------------------------------

¾ç¸é°ú ´Ü¸éÀÌ ÀÖÀݽÀ´Ï±î?.. Àü ¾ÆÁ÷µµ °ü°è¸¦ À߸𸣰ŵç¿ä..
SD·¥Àº ¾È½áºÁ¼­¿ä.. º¸µå¿¡ µû¶ó ´Ü¸é·¥Àº µÇ°í ¾ç¸é·¥Àº ¾ÈµÇ°í? ÀßÀº ¸ð¸£°Ú´Âµ¥ ±×·±°ÍÀÌ ÀÖ´Ù°í µé¾ú½À´Ï´Ù. ´äº¯Á»ÇØÁÖ¼¼¿ä..

±×¸®°í Àú À§¿¡ ·¥Àº ´Ü¸éÀԴϱî? ¾ç¸éÀԴϱî?? ¾î¶»°Ô ¾Ë¼öÀÖÁÒ??

SDR »ï¼º 128M PC100 (b) [´ÜÇ°] ·¥À» »ì·Á°í Çϴµ¥.. b¶ó°í ½áÁø°ÍÀº ¹«½¼ ÀǹÌÀÎÁö..
ªÀº±Û Àϼö·Ï ½ÅÁßÇÏ°Ô.


QnA
Á¦¸ñPage 293/5715
2014-05   5196274   Á¤ÀºÁØ1
2015-12   1729215   ¹é¸Þ°¡
2013-07   12491   ±è°Ç¿ì
2017-06   12490   ÀÌÈñÁÖ
2003-04   12490   ±è°æ¶ô
2002-12   12490   ÀÌÁ¤È¯
2015-01   12490   º¸°Å½º123
2002-12   12490   ±èÅÂÇö
2002-12   12489   ±è¼º¼ö
2002-09   12489   È«ÇѼ®
2002-10   12488   ±è¼ºÁø
2011-02   12488   ±è°Ç¿ì
2003-03   12488   ±è¼±Á¾
2005-04   12487   È«µ¿±Ç
2002-12   12487   ±èÈ¿¼ö
2003-02   12487   ÇÑâ¼ö
2003-04   12486   °­·¡ÇÊ
2014-01   12486   Ȳ¼ºÁø
2002-11   12485   ÃÖÈ£±Ù
2003-11   12485   °í¹æ¿ø
2002-12   12484   ¹ÚÇö¹Î
2014-10   12484   ºü½Ã¿Â