SDRAM ¿¡ ´ëÇØ Áú¹®µå¸³´Ï´Ù..

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¸Þ¸ð¸® ¸ðµâ ¼Ó¼º
¸ðµâ¸í Samsung KMM3 66S 823DTS-GL
ÀÏ·Ã ¹øÈ£ 39F2EE00h
¸ðµâ Å©±â 64 MB (1 rows, 4 banks)
¸ðµâ À¯Çü Unbuffered
¸Þ¸ð¸® À¯Çü SDRAM
¸Þ¸ð¸® ¼Óµµ PC100 (100 MHz)
¸ðµâÆø 64 bit
¸ôµâ Àü¾Ð LVTTL
¿À·ù °ËÃâ ¹æ¹ý ¾øÀ½
°»½ÅÀ² º¸Åë (15.625 us), Self-Refresh
ÃÖ°í CAS Áö¿¬½Ã°£ 3.0 (10.0 ns @ 100 MHz)
2¹ø° ÃÖ°í CAS Áö¿¬½Ã°£ 2.0 (12.0 ns @ 83 MHz)

¸Þ¸ð¸® ¸ðµâ Ư¡
Early RAS# Precharge ¹ÌÁö¿ø
Auto-Precharge Áö¿ø
Precharge All Áö¿ø
Write1/Read Burst Áö¿ø
Buffered Address/Control Inputs ¹ÌÁö¿ø
Registered Address/Control Inputs ¹ÌÁö¿ø
On-Card PLL (Clock) ¹ÌÁö¿ø
Buffered DQMB Inputs ¹ÌÁö¿ø
Registered DQMB Inputs ¹ÌÁö¿ø
Differential Clock Input ¹ÌÁö¿ø
Redundant Row Address ¹ÌÁö¿ø

¸Þ¸ð¸® ¸ðµâ Á¦Á¶ÀÚ
ȸ»ç¸í Samsung
Á¦Ç° Á¤º¸http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

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SDR »ï¼º 128M PC100 (b) [´ÜÇ°] ·¥À» »ì·Á°í Çϴµ¥.. b¶ó°í ½áÁø°ÍÀº ¹«½¼ ÀǹÌÀÎÁö..
ªÀº±Û Àϼö·Ï ½ÅÁßÇÏ°Ô.


QnA
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2015-12   1533828   ¹é¸Þ°¡
2014-05   4997986   Á¤ÀºÁØ1
2004-01   8926   Á¶Çü·¡
2004-01   9911   ¹ÚÀç¼®
2004-01   9312   °­¼ºÁø
2004-01   10023   ±èÁ¤Çõ
2004-01   11126   ±è±â¹ü
2004-01   10710   ±èÁ¦¿¬
2004-01   10778   ÇÑâȣ
2004-01   9284   ¿À»óÈÆ
2004-01   9519   ¼Û»óº´
2004-01   10216   õÈñ½Â
2004-01   10758   ÀÌ»óÇö
2004-01   9945   À̱⿵
2004-01   9545   ¿ÕÃáÈ£
2004-01   9701   Àμ±±³
2004-01   12065   À̵¿Àç
2004-01   9610   ¹ÚÀç¼®
2004-01   10157   Á¤Ä¡¹Î
2004-01   10353   ¹Ú°æÈ£
2004-01   11066   È«¼øÇü
2004-01   8739   ÃÖâÇö