SDRAM ¿¡ ´ëÇØ Áú¹®µå¸³´Ï´Ù..

ÀÌ´ë·Î   
   Á¶È¸ 12342   Ãßõ 13    

¸Þ¸ð¸® ¸ðµâ ¼Ó¼º
¸ðµâ¸í Samsung KMM3 66S 823DTS-GL
ÀÏ·Ã ¹øÈ£ 39F2EE00h
¸ðµâ Å©±â 64 MB (1 rows, 4 banks)
¸ðµâ À¯Çü Unbuffered
¸Þ¸ð¸® À¯Çü SDRAM
¸Þ¸ð¸® ¼Óµµ PC100 (100 MHz)
¸ðµâÆø 64 bit
¸ôµâ Àü¾Ð LVTTL
¿À·ù °ËÃâ ¹æ¹ý ¾øÀ½
°»½ÅÀ² º¸Åë (15.625 us), Self-Refresh
ÃÖ°í CAS Áö¿¬½Ã°£ 3.0 (10.0 ns @ 100 MHz)
2¹ø° ÃÖ°í CAS Áö¿¬½Ã°£ 2.0 (12.0 ns @ 83 MHz)

¸Þ¸ð¸® ¸ðµâ Ư¡
Early RAS# Precharge ¹ÌÁö¿ø
Auto-Precharge Áö¿ø
Precharge All Áö¿ø
Write1/Read Burst Áö¿ø
Buffered Address/Control Inputs ¹ÌÁö¿ø
Registered Address/Control Inputs ¹ÌÁö¿ø
On-Card PLL (Clock) ¹ÌÁö¿ø
Buffered DQMB Inputs ¹ÌÁö¿ø
Registered DQMB Inputs ¹ÌÁö¿ø
Differential Clock Input ¹ÌÁö¿ø
Redundant Row Address ¹ÌÁö¿ø

¸Þ¸ð¸® ¸ðµâ Á¦Á¶ÀÚ
ȸ»ç¸í Samsung
Á¦Ç° Á¤º¸http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

--------------------------------------------------------------------------------------------

¾ç¸é°ú ´Ü¸éÀÌ ÀÖÀݽÀ´Ï±î?.. Àü ¾ÆÁ÷µµ °ü°è¸¦ À߸𸣰ŵç¿ä..
SD·¥Àº ¾È½áºÁ¼­¿ä.. º¸µå¿¡ µû¶ó ´Ü¸é·¥Àº µÇ°í ¾ç¸é·¥Àº ¾ÈµÇ°í? ÀßÀº ¸ð¸£°Ú´Âµ¥ ±×·±°ÍÀÌ ÀÖ´Ù°í µé¾ú½À´Ï´Ù. ´äº¯Á»ÇØÁÖ¼¼¿ä..

±×¸®°í Àú À§¿¡ ·¥Àº ´Ü¸éÀԴϱî? ¾ç¸éÀԴϱî?? ¾î¶»°Ô ¾Ë¼öÀÖÁÒ??

SDR »ï¼º 128M PC100 (b) [´ÜÇ°] ·¥À» »ì·Á°í Çϴµ¥.. b¶ó°í ½áÁø°ÍÀº ¹«½¼ ÀǹÌÀÎÁö..
ªÀº±Û Àϼö·Ï ½ÅÁßÇÏ°Ô.


QnA
Á¦¸ñPage 5284/5686
2014-05   4976505   Á¤ÀºÁØ1
2015-12   1512654   ¹é¸Þ°¡
2015-11   4304   RRRR
2009-07   6656   ¹æoÈ¿o¹®
2009-08   13824   Á¤ÀºÁØ1
2020-04   3641   ±Þ¿©ÀÏ¿¡¸¸³ª¿ä
2014-07   3466   ȸ¿øK
2015-11   3570   crow
2012-10   5436   ¹æoÈ¿o¹®
2016-10   5403   ºí·ç¿µ»ó
2021-09   3039   hdsniper
2012-10   6784   À±Ä¡¿­
2014-07   4136   ¹«Á»ÇÔ´ë
2015-11   4066   ¿©ÁÖÀÌ»óµ·
2020-04   2904   GoverZG
2021-09   1820   ±¸¿ô
2009-09   11775   Èû³»¿ë
2020-04   3296   Å×Ã÷
2023-04   1855   ÀÌâÁØ
2009-09   6109   Â÷Áø
2019-02   4305   ¾Æ¸¶Ä«½Ã
2015-11   6496   °Ü¿ï³ª¹«