이론상 같은 의미라?
MLC는 셀 안에 가둔 전하의 전압을 4단계로 구분할 수 있는 것이고
TLC는 8단계로 구분할 수 있는 차이일텐데
3D V-NAND는 셀안에 전압을 4단계로 구분할 수 있게 넣는 다는 뜻인가요??
3D V-NAND는 셀 구성의 물리적인 구조가 다른 것 아닌가요?
전혀 다릅니다. MLC/TLC는 셀 단위의 구분이고 3D V-NAND는 셀의 패키징에 대한 기술입니다.
3D로 적층할 때 수명이 유리한 건, 같은 용량을 구현할 때 훨씬 굵은 공정(?)을 쓸 수 있어서 물리적으로 여유가 생겨서 유리하다는 겁니다.2D NAND도 40-28-20-16nm 가면서 수명이 훅훅 날아갔었습니다. 16nm 2D MLC NAND와 40nm급을 쓰는 3D TLC NAND 기반 제품 수준에서의 수명을 따지자면 3D TLC쪽이 훨씬 더 길게 나옵니다. 성능은 뭐 차이가 생길수밖에 없는데 컨트롤러와 내부 구조 배치로 극복할 여지가 여전히 남아 있습니다.
MLC는 셀 안에 가둔 전하의 전압을 4단계로 구분할 수 있는 것이고
TLC는 8단계로 구분할 수 있는 차이일텐데
3D V-NAND는 셀안에 전압을 4단계로 구분할 수 있게 넣는 다는 뜻인가요??
3D V-NAND는 셀 구성의 물리적인 구조가 다른 것 아닌가요?
개인적으로 3d mlc까지는 용서가됩니다
3D로 적층할 때 수명이 유리한 건, 같은 용량을 구현할 때 훨씬 굵은 공정(?)을 쓸 수 있어서 물리적으로 여유가 생겨서 유리하다는 겁니다.2D NAND도 40-28-20-16nm 가면서 수명이 훅훅 날아갔었습니다. 16nm 2D MLC NAND와 40nm급을 쓰는 3D TLC NAND 기반 제품 수준에서의 수명을 따지자면 3D TLC쪽이 훨씬 더 길게 나옵니다. 성능은 뭐 차이가 생길수밖에 없는데 컨트롤러와 내부 구조 배치로 극복할 여지가 여전히 남아 있습니다.
많은 분들이 MLC를 DUAL로 알고 있고 TLC를 TRIPPLE로 알고 계시는데 이는 잘못된 것입니다.
MULTIPLE LAYER. 즉 SLC(SINGLE)가 아니면 전부 MLC입니다.
MLC중 듀얼이냐 트리플이냐 쿼드냐.. 등등 나오는 것 뿐입니다.
3D NAND는 적층 방식이지 MLC/TLC와는 관련 없습니다.