아니 이게 어떻게 보안사항이 되는지 근거가 궁급합니다. 가정도 아닌 확신에 차서 구체적으로 단정지을 정도면 엄청난 것 아닌가요? 출처가 있다면 왜곡된 정보는 밝혀서 수정이 필요하다고도 여겨집니다. 유독 삼성만 이런 상식적으로 납득이 안되는 내용들이 많이 보여지는 건 기우이려나요??
모듈이라고 해도 데이터시트에 나올거라고 생각됩니다.
개별 칩의 경우에는 10페이지에
Absolute Maximum DC Ratings 라고 해서 인가되어야 하는 전압에 대한 범위가 적혀 있습니다.
데이터시트자체가 오픈된게 아니라 NDA를 맺어야 받는 경우도 있는데
아무튼 전압 자체는 데이터 시트에 기재되어 있어야 하는 사안입니다. (그걸 모르면 회로 설계를 못하니까요)
다만 정상적인 작동에 대한 수치이고, 오버나 언더볼팅에 대한 내압 수치는 공표하지 않고
공표할 이유도 없습니다(정상작동을 하지 않으면 워런티할 이유가 없으니)
아니면 모듈로 제조된걸 예기하시는지....
둘다 공개 되어 있습니다.
https://www.samsung.com/semiconductor/dram/ddr4/
이상하게 다나와든 어디든 삼성 램만 동작전압이 안나오더라구요...
DDR4면 무조건 1.2v입니다.
이쪽을 오픈하면 다른 경쟁 메모리사의 품질만 높혀 주는 꼴이 됩니다..
이걸 보안사항이라고 공개를 안하면 모듈을 만들수가 없습니다.
개별 칩의 경우에는 10페이지에
Absolute Maximum DC Ratings 라고 해서 인가되어야 하는 전압에 대한 범위가 적혀 있습니다.
데이터시트자체가 오픈된게 아니라 NDA를 맺어야 받는 경우도 있는데
아무튼 전압 자체는 데이터 시트에 기재되어 있어야 하는 사안입니다. (그걸 모르면 회로 설계를 못하니까요)
다만 정상적인 작동에 대한 수치이고, 오버나 언더볼팅에 대한 내압 수치는 공표하지 않고
공표할 이유도 없습니다(정상작동을 하지 않으면 워런티할 이유가 없으니)
https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi/file/resource/2017/12/x16%20only_8G_C_DDR4_Samsung_Spec_Rev1.5_Apr.17.pdf
모듈도 임의 모듈에 대한 데이터시트를 보면 16페이지
AC & DC OPERATING CONDITIONS 항목에 Min Typical Max 수치로 나와있습니다.
https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi/file/resource/2018/05/DDR4_8Gb_B_die_Unbuffered_DIMM_Rev2.4_Apr.18.pdf
그럼 제가 잘못 알고 있었는듯...
메모리 박사님이 그렇게 말씀하시니 맞겠죠..