뜬금없1060; Ƽ17;금해서 1656;문드/140; 봅니다.
예를 들Ǻ12;, 800GB 용량1032; SSD가 1080;다고 가1221;해 봅시다. (MLC)
1. 800GB를 1200;1109;Ȣ16;/140;면 31312; 2천Ǻ13; 개1032; 셀1060; 1080;Ǻ12;야 합니다. (셀NJ17; 2비트 1200;1109;시)
2. 그리고 MLC가 보통 1만번 1116;기/197; 한다고 Ȣ16;면 약 56테라를 쓸 수 1080;습니다.
위 1번, 2번에 대해서, 각각1032; 계산식1008; 다1020;과 같습니다.
1. (800*1024*1024*1024)Bytes * 8Bit / 2(셀NJ17; 2비트) = 3,200,000,000,000 개
2. 3,200,000,000,000개 * 2비트 * 10000회 = 56.84TB
1060;,163;1060; 물리1201; 한계 아닌가요? (1228; 계산1060; 틀/160;Nj12;1648;.. ㅠ.ㅠ)
그런데, '1064;텔 SSD DC S3520 800GB' 같1008; 1228;품1008; 1660TB1032; TBW를 1088;랑합니다.
1060;,148; Ǻ12;떻,172; 가능한 ,148;가요? 그냥 무식Ȣ16;,172; 여ǥ16;1032; 셀1012; 그만큼 많1060; 넣1008; ,163;1068;까요?
삼성 850Pro 1TB 같1008; ᅆ1;우, 300TBW에 불과했Nj12; ,163;1060;, 삼성 970Pro 1TBlj16; 1200TBW 1077;니다.
1060;,148; Ǻ12;떻,172; .108; ,148;가요? 뭔가 3D 낸드가 .104;면서 1339;아1652; ,163; 같1008;데.. 1116;기/197; 횟수가 늘Ǻ12;나서 그런 ,152;까요?
퓨1204; IO 드라1060;브 같1008; ,148; 내구성1060; 더 1339;Nj12;데.. 1060;,148; Ǻ12;떤 1312;화1068;까요?
참고/196;, GC, Trim, Wear Leveling መ1;, SSD ᇼ1;1089; 원리에 대해서lj16; Ǻ12;lj12; 1221;도 알고 1080;습니다. 
뜬금없1060; Ƽ17;금해1256;서 1656;문 올/140; 봅니다.
고맙습니다.
그냥 단순하게 생각해서 800GB * 10000회 = 7812TB 가 나오네요.
이 계산이 맞다면, 왜 꼴랑 300TBW만 지원했었는지.. 최신이라고 해도 왜 1200TBW 뿐인지 궁금하군요..
우선 MLC 1만회는 미세공정화가 되면서 최근 횟수를 공개한 제품 기준으로는 3000회 정도입니다.
3D화 되면서 다시 늘어나서 TLC가 MLC급과 유사하다고 합니다만
공개한 수치가 보증횟수가 아닌 일반적으로 알려진 횟수다보니 초과해서도 사용가능합니다.
그리고 TBW의 경우 SSD모듈 전체의 제조사 보증이다보니 내부알고리즘이나 A/S정책적으로 길게 측정할수도 작게 측정할수도 있습니다.
그리고, SSD 모듈 전체의 제조사 보증이다 보니, 이 숫자는 제조사가 전략적으로 책정하는 것인가 봅니다.
고맙습니다.
다른 문제로는 3d tlc이놈들 열이 많이 나는거 같아요
TBW라는것은 워런티 조건에 한계점을 걸기위한 숫치입니다. 실제적으로 새로운 데이터를 SSD에 적을 수 있는 횟수와는 그닥 매칭이 되진 않습니다.
인터넷에서 그냥 구글을 조금하면 실제로 SSD에 re-write한 데이터양에 대한 블로그 등등이 많이 나옵니다. 웬만한 SSD들은 모두 1페타를 넘어버립니다.
또한 SSD의 저장 단위 같은것도 공통 표준이 없고 그냥 각각 맘대로 이고... 쎌이라는것과 그안의 로직등등 모두 회사마다 조금씩 다르기도 하고...
제가 읽었던 TBW 계산 방식에 대한 글 하나는 회사마다 이것도 공식이 달라서 (표준이 없음) 비교를 할때 같은 숫치를 비교하는것이 아니라고 하더군요.
모든 마이크로칩들과 마찮가지로 메모리칩도 웨이퍼로 찍어낼때 가운데쪽에서 나온것들과 가상자리에서 나온것들이 뭔가 많이 차이나겠죠? CPU의 경우 가상자리것들로 좀더 스펙이 낮은 CPU들을 만드는데 분명 NAND 칩들도 하나의 뭬이퍼에서 나온넘들을 동일하게 쓰지는 못할것입니다. 당연히 버리지도 않겠죠... 그럼 또 뭔가 비활성화된 무엇으로는 쓸텐데 그게 뭔지 나와있는 자료는 아직 읽어본적은 없습니다. NAND 로직은 TR시대인지 그이전인지 만들어지고 나서부터 바뀐게 없고 이걸 어떻게 쓰고 refresh할때 어떤 방식을 쓰느냐 threshold 레벨을 사용하여 더 많은 데이터를 동일한 로직에다가 넣을 수 있냐 없냐 전체적인 데이터를 어떻게 넣고 어떻게 읽느냐 케쉬용량 그리고 빽업 쎌들의 숫자 등등 만 제조사들마다 다를것인데, 이게 동일한 기술을 사용하여 더 좋고 나쁜 제품을 만들어내는 경쟁들을 하기때문에 공개되지 않는 내용들이 많은것 같습니다.
우리 end-user 입장에서는 그냥 블랙박스라고 생각하고 실제 사용 테스트에 의존하는것이 머리털건강에 더 이로울지도 모를것 같다는 결론을 내렸네요. 이제 중국의 많은 허접 업체들에서도 SSD들을 마구 만들어내고 자체 NAND칩들을 넣기도 하는것을 보면 기본적인 SSD기술은 다 유출되어 인터넷에서 나돌고 있을지도 모르겠네요.
그러니까 결론적으로 엿장수맘입니다! ㅎㅎ