아마도.. QLC 같이 레벨이 높아지면 SSD에 항상 전기를 넣어줘야하지 않을까 싶습니다.
셀에 격리된 전하값이 일정 시간이 지나면 변하기에 주기적으로 옮겨쓰기를 통한 리프레시 작업이 필요한데
QLC는 그 주기가 매우 짧을 것이고.. 그동안 전기를 넣어두지않고 있었다면 데이터 오염이 뙀!
d램 같은 짧은 리프레시를 말하는 게 아니고
데이터 오염을 막기위해 긴 주기로 블록단위 리프레싱을 말하는 거입니다
이해를 돕자면 아래 캡춰 내용 입니다.
아무래도 QLC로 갈수록 오염이 빨리 되겠죠. 그래서 전원이 들어온 상태라면 펌웨어 단에서 긴 주기로 리프래싱을 할 겁니다.
그런데 오랫동인 전원공급을 하지 않는다면 SLC 보다는 QLC가 짧은 기간 내에 데이터 오염이 날 겁니다.
http://www.itworld.co.kr/news/93482 전하를 둘러싸고 있는 부분이 완벽하지 않다. QLC 라면 조금의 새어나감이 생겨도 데이터 오염이죠.
뭐.. 저장공간이 늘어난 만큼 ECC를 더 해줄 수 있으니 어느정도 상쇄는 시킬 수 있겠지만.. 한계가 있겠죠.
박스친 부분은 리텐션(retention)이라는 현상이고 리프레쉬와는 다른 문제 입니다. 데이타 오염이 리텐션으로 인해 섕길정도면 이미 수명이 다했다고 봐야죠. 그리고. 리프레쉬란 용어자체를 사용하지 않습니다. 기본개녕 자체가”셀에 격리된 전하값이 일정 시간이 지나면 변하기에 주기적으로 옮겨쓰기를 통한 리프레시 작업이 필요한데” 라고 할만큼 짧지 않습니다. 만약 저 문구가 맞다면 낸드 플래쉬 못 만듭니다. 이론적으론 플로팅게이트 내에 전자는 10년 이상 잡아둘수 있습니다
잡아두는것 문제보다 옥사이드가.열화되어서 맛탱이가 가는 거지요. Write를 많이 하면 열화가 빨리 되기 때문에 수명이 결정됩니다. TBW나 PBW가 중요한것이 그런 이유입니다. 궁금하시면 실험 한번해보세요. QLC SSD에 사진이나 데이타 넣어서 장롱속에 처박아 둔후에 1년에 한번씩 READ만 했을때 몇년 지나면 데이타를 엑세스 못하는지를요.
셀에 격리된 전하값이 일정 시간이 지나면 변하기에 주기적으로 옮겨쓰기를 통한 리프레시 작업이 필요한데
QLC는 그 주기가 매우 짧을 것이고.. 그동안 전기를 넣어두지않고 있었다면 데이터 오염이 뙀!
데이터 오염을 막기위해 긴 주기로 블록단위 리프레싱을 말하는 거입니다
이해를 돕자면 아래 캡춰 내용 입니다.
아무래도 QLC로 갈수록 오염이 빨리 되겠죠. 그래서 전원이 들어온 상태라면 펌웨어 단에서 긴 주기로 리프래싱을 할 겁니다.
그런데 오랫동인 전원공급을 하지 않는다면 SLC 보다는 QLC가 짧은 기간 내에 데이터 오염이 날 겁니다.
http://www.itworld.co.kr/news/93482
전하를 둘러싸고 있는 부분이 완벽하지 않다. QLC 라면 조금의 새어나감이 생겨도 데이터 오염이죠.
뭐.. 저장공간이 늘어난 만큼 ECC를 더 해줄 수 있으니 어느정도 상쇄는 시킬 수 있겠지만.. 한계가 있겠죠.
여튼 이론적으로 10년을 잡아둔다는 것도 SLC의 얘기이지 QLC로 가면 상당히 짧아지지않을까 예상합니다.
https://gigglehd.com/zbxe/4469092
제조사들은 리텐션 기간을 줄이려고 하네요. 2007년에 무슨 일이 있었던 건지 모르겠네요. 그때 MLC가 나왔는 건가 싶기도 하고...