RAID 구성과 캐시정책 등 전부 동일한 서버 두대를 비교했습니다.
디스크 제조사만 다를 뿐 같은 SSD로 묶인 RAID 드라이브 입니다만 읽기속도에도 적지않게 차이가 있으며 쓰기속도가 2.5배 이상 차이가 납니다.
쓰기 테스트는 dd 명령어를 이용하였으며, 읽기는 hdparm을 이용했습니다.
디스크 타입부터 Disk Cache Policy 영역까지 최대한 따져봐야 할 요소들을 확인해봤는데 왜 이렇게 속도차이가 발생하는지 모르겠네요..
더 추가적으로 확인해볼 만한 부분이 있을까요?
so
그리고 시스템은 DELL 시스템에서 DELL OEM RAID 카드에서 테스트 하신 것인가요??
얼핏 보면 각 서버의 SSD모델이 다르기 때문이고 SK Hynix (DELL OEM) 는 어느 정도 인텔 것보다는 신형 모델 추측 , 그 외 펌웨어가 DELL 전용이기에
레이드 콘트롤러 (시스템)이랑 옵티마이징이 잘 된 것 같습니다..
서버모델 : R450
디스크모델 : HFS480G3H2X069N
레이드컨트롤러 : RAID bus controller: Broadcom / LSI MegaRAID 12GSAS/PCIe Secure SAS39xx
- 2번(상대적으로 속도가 떨어지는 서버)
서버모델 : R440
디스크모델 : SSDSC2KB480G8R
레이드컨트롤러 : RAID bus controller: Broadcom / LSI MegaRAID 12GSAS/PCIe Secure SAS39xx
레이드 컨트롤러는 동일하며 디스크에 대한 정보에만 차이가 있네요
HFS480G3H2X069N 제품은 Hynix SE5110 이라는 모델명이 따로 있네요..
출시시기는 거의 나오지 않는데 대략 2020년도 6월쯤인가 봅니다..
https://sata-io.org/product/8780
https://product.skhynix.com/products/ssd/essd.go
SSDSC2KB480G8R 제품은 인텔 모델명으로 D3-S4510 으로 검색됩니다..
출시시기는 다나와 기준 2018년 9월입니다..
https://prod.danawa.com/info/?pcode=6460532
서버 모델이 조금 달라서 같은 콘트롤러라도 어떻게 시스템에 연결되었는가가 다를 수 있어 약간의 성능 변수는 있을 수 있지만
그보다는 디스크 자체가 신형이라서 더 빠른 것 같습니다..
세대가 하나 넘어갈수록 보통 성능이나 기능을 차이가 꽤 납니다..
SSD는 어떻게 개발되는지 잘은 모르지만 아마 기술 발전이 심하기에 2~3년이면 성능이 심하면 2배 차이 나거나 용량이 4배가 되거나
할 수도 있는 부분입니다..
그런 것은 일반인은 보통 정보를 구하기 어렵고 실제 물건을 개발한 개발자가 알겠죠..
PCIe 도 세대가 1번 올라가면 속도가 2배가 되는데 요즘은 개발 가속도가 더 빨라지고 있습니다..
인텔도 저가형 / 비즈니스형 / 엔터프라이즈형 이 있으며.
또한 Read intensive / Write Intensive 로 나눠지며,,
Write intensive 는 내구성도 강하지만 가격도 2~3배 더 높습니다.
서버모델 : R450
디스크모델 : HFS480G3H2X069N
레이드컨트롤러 : RAID bus controller: Broadcom / LSI MegaRAID 12GSAS/PCIe Secure SAS39xx
- 2번(상대적으로 속도가 떨어지는 서버)
서버모델 : R440
디스크모델 : SSDSC2KB480G8R
레이드컨트롤러 : RAID bus controller: Broadcom / LSI MegaRAID 12GSAS/PCIe Secure SAS39xx
레이드 컨트롤러는 동일하며 디스크에 대한 정보에만 차이가 있네요