[¸®ºä] Transcend aXeRam DDR3-1800+ Dualkit (1GBx2)

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Transcend Overclocking Memory "aXeRam" Transcend(1109;Š11;, http://www.transcend.com.tw16; 1988년 타1060;완에서 설립.104;Ǻ12; 현1116; 플래쉬 메모리를 1452;/141;1004;/196; 1200;1109;1109;치 관/144; 액세서리류에 1060;르기 까1648; 총 2000여1333;1060; 넘lj16; 1228;품1012; 생산, 유통Ȣ16;고 1080;lj16; 업체1060;다. 우리나라에서lj16; 대한무역(http://www.memoryworld.co.kr)1060; Transcend 1228;품1012; 국내에 공급Ȣ16;고 1080;1004;며, 1060; 사용기 역시 대한무역에서 테스트용1004;/196; 1228;공.108; 1228;품1004;/196; 1060;루Ǻ12;1652; ,163;1060;다. Transcend Standard Memory에lj16; 사명1012; 그대/196; 브랜드/196; 사용Ȣ16;lj16; Transcend 1228;품군과, JetRam, 그리고 aXeRam 1060; 1080;lj16;데, 오버클러킹 용1004;/196; 개0156;, 판매.104;lj16; aXeRam 1060; 1648;금 테스트Ȣ16;고1088; Ȣ16;lj16; 1228;품1060;다. 그 1473;에서도 현1116;/196;서lj16; 최 상위 모델1064; aXeRam DDR3-1800+ Overclocking Memory/196; 8-8-8-24 1032; 타1060;0141; 스6169;1012; 가1648;고 1080;다. 1060; 1228;품1032; 1221;보와 판매가ᅄ1;1060; መ1;/197;.108; ǥ13;0120;1648;역 Transcend 사1060;트에 따르면, Dual kit (1GBx2) 기1456;1004;/196; 세1204;가ᅄ1; $236.00에 판매.104;고 1080;다. 1228;품 설명 : http://www.transcend.co.kr/Products/MEMList.asp?srhMemWay=STD&L0No=Transcend&axn=goSearch&LangNo=18&L4No=96 "DDR3-1800" PC3-14400 1228;품1032; 스6169;에 따라 1,800MHz/196; ᇼ1;1089; 가능Ȣ16;고 1060;ǐ12; 메모리1032; 대역폭1008; 단순7176; 수치만1012; .160;고 생각해 보면 싱글 채널1068; ǐ12; 14,400MB/s, 듀얼 채널1068;ǐ12; 28,800MB/s 에 1060;른다. 최신형 Intel Core2 Duo, Core2 Quad계열1032; FSB가 1,333MHz 1004;/196; 대역폭1060; 10,656MB/s1064; 만큼, 오버클러킹용 메모리라lj16; 1228;품1032; ǥ16;류 NJ13;,172; 사용Ȣ16;lj16; 프/196;세서1032; FSB를 오버클러킹 Ȣ16;여 그에 맞lj16; 충ǥ16;한 대역폭1012; 1228;공해 1460; 수 1080;,192;다. 현1116; 출시.104;Ǻ12; 국내에서 판매.104;고 1080;lj16; DDR3-1800 급 메모리lj16; 다1020;과 같다. (ABC순)
CompanyProductTiming
(CL-RCD-RP-RAS)
Voltage
CorsairDominator DF7-7-7-202.0
G.SkillPi8-8-8-211.9
GeILUltra CL77-7-7-281.8
GeILUltra CL88-8-8-281.9
OCZPlatinum8-8-8-272.0
PatriotViperFIN8-8-8-201.9
1.8v에서 8-8-8-241032; 타1060;0141;1004;/196; ᇼ1;1089;Ȣ16;lj16; Transcend aXeRam 1008; 타 1228;품에 비해 상대1201;1004;/196; 낮1008; 1204;ǹ17;에서 Ȟ17;ƽ12;1201;1064; 스6169;1012; 나타내고 1080;Ǻ12; 1452;목.108;다. 특7176; 1228;품1032; 명칭상 1800+라lj16; 표현1008; 1204;ǹ17;1060;나 타1060;0141;에 1080;Ǻ12;서 추가1201;1064; 오버클러킹1060;나 사용1088;1032; 기호에 맞lj16; 환ᅆ1;1004;/196; 값1012; 설122116;lj16; ,163;1060; 가능케 해1460; ,163;1012; 기대Ȣ16;,172; 한다. 1593;, 프/196;세서 오버클러킹1012; Ȣ16;1648; 않lj16;다면 사용Ȣ16;고1088; Ȣ16;lj16; FSB 수1456;에 맞,172; 메모리1032; 타1060;0141;1012; 낮춰서 쓸 수도 1080;다. Retail Package 패Ȗ12;1648;에 1080;Ǻ12;서lj16; 1060;/111;다할 특1060;1216;1008; 없다. 대ǥ12;ǥ16;1032; 별도 포1109;.108; 메모리 패Ȗ12;1648;가 그/11119;1060; 플라스ᔘ1; 패Ȗ12;1648;/196; 1060;루Ǻ12;1256; 1080;고, 내ǥ12;에lj16; 약간1032; 1228;한.108; Ȟ17;생 워런티가 1228;공.108;다lj16; 안내문과 .160;가1648; 광고 1204;단1648;가 포함.104;Ǻ12; 1080;다. 약 8000만명1060; 모국Ǻ12;/196; 사용Ȣ16;고 1204;세계에서1032; 위상1060; 높아1652; 한국Ǻ12;/196;도 워런티 안내문1060; 한6168;1060;1648; 1201;혀 1080;다. Heatspreader DDR2, DDR3를 ኔ1;론Ȣ16;고 현1116; 판매.104;고 1080;lj16; 대ǥ12;ǥ16;1032; 0169;열판1008; 기본형1004;/196; 3,000mm2 1204;후 1032; 표면1201;1012; 가1652; 1068;0152;1201;1064; 디 1088;1064;과 성능1012; 가고 1080;다. 물론 최근 출시.104;lj16; 메모리용 0169;열판 1228;품들 가운데lj16; 0169;열판과 메모리ᒤ1; 사1060;1032; 열 1204;도 물1656;1012; 차별화 Ȣ16;,144;나, 0169;열판에 7176;트파1060;프를 포함Ȣ16;lj16; 설계를 Ȣ16;,144;나, 0169;열판1032; 면1201;1012; 늘리,144;나, 별도1032; 쿨러를 1060;용한 Active Cooling1012; 선보1060;lj16; 1228;품들도 1080;다. 고클럭1004;/196; 0156;매.108; 오버클럭용 메모리들1008; 앞서 Ǻ16;급한 특1060;한 형태나 설계1032; 0169;열판1012; 많1060; 채용Ȣ16;고 1080;lj16;데, Transcend aXeRam 1032; ᅆ1;우에도 빗살무늬 형태/196; 늘Ǻ12;DŽ12; 0169;열판1012; 채용Ȣ16;고 1080;Ǻ12; 그 표면1201;1060; 보통 0169;열판1032; .160;0176;가 넘lj16; 7,500mm2에 1060;른다. Inside View 0169;열판1012; 벗겨낸 메모리1032; 모습1008; 그다1648; 특별할 ,163;1008; 없다. 0169;열판 안1901; 면에 열 1204;도를 위한 써멀패드가 붙Ǻ12; 1080;고, 메모리lj16; 1204;형1201;1064; 단면 1204;용1004;/196; 1228;1089;.108; 기판1004;/196; 1Gb*8 (128MB*8)1032; 구성1004;/196; 1060;루Ǻ12;1256; 1080;다. 보통 다른 고클럭 DDR3 메모리1032; ᅆ1;우 Micron D9 ᒤ1;1012; 사용Ȣ16;lj16; 사/168;가 다수 목ᅄ1;.104;lj16;데, 1060; 1228;품1032; ᅆ1;우 삼성1204;1088;1032; 모듈1060; 사용.104;었다. [K4B1G0846D] Samsung Memory, Dram, DDR3 SDRAM 1Gb x8, 8Banks, 1.5V, 5th Gen. F81060;라lj16; ǥ12;ǥ16;에서 1060; 모듈1060; 본래 533MHz (DDR3-1066)1004;/196; 1228;1312; .104;었고, 그 ǐ12;문에 테스트에 사용할 메1064;보드에서lj16; /112;6140;런스 클럭1004;/196; 533MHz CL7 1012; 1228;시해 1452;었다. 물론 오버클럭용 메모리 특성상 1204;수,160;사를 통해 1068;1221; 1312;,148;에 만1313;Ȣ16;lj16; 모듈/196;만 컴6140;넌트 1228;1089;1060; .104;Ǻ12; 크,172; 신ᅆ1;쓸 1068;1008; 아니다. Testbed 테스트 환ᅆ1;1008; DDR3 를 사용Ȣ16;lj16; 플ǖ19;폼 가운데 가1109; 표1456;1201;1064; 환ᅆ1;1004;/196;, 1064;텔 /112;6140;런스 X38 ᒤ1;셋 보드에 쿼드코Ǻ12; 프/196;세서를 사용Ȣ16;고 1080;다. Processor : Intel Core2 Extreme QX9650 (3.0GHz, 333 x 9) Mainboard : Intel DX38BT (AA D85848-503) Hard disk : Mtron SSD 6035 32GB SATA Operating System : Microsoft Vista Ultimate K x64 edition 1060;와 같1008; 환ᅆ1;에서 메모리를 1,333Mhz에서1032; JEDEC 표1456; 타1060;0141;1004;/196; 설1221;했1012; ǐ12; 측1221;.108; 결과값1012; 기1456;1004;/196;, .160;가1648; 0169;향1004;/196; 테스트를 Ȣ16;였다. Ȣ16;나lj16; 프/196;세서1032; 클럭1060; 허용Ȣ16;lj16; 한 FSB를 메모리와 ᇼ1;1068;한 450MHz 까1648; 오버클럭 Ȣ16;여 메모리1032; 1228; 성능1012; 내도/197; Ȣ16;lj16; 구성1060;고, 다른 Ȣ16;나lj16; 프/196;세서1032; 기본 FSB1064; 333MHz 에서 메모리1032; 타1060;0141;1012; 1312;1060;lj16; 구성1060;다. 기1456; 환ᅆ1;에서 Everest 1032; Memory Benchmark 테스트 결과lj16; Read 7,741 MB/s, Write 6,986 MB/s, Copy 6,979 MB/s, Latency 65.2 ns 를 기/197;Ȣ16;였다. Everest 에서 메모리 모듈1032; 1064;식 내용1008; 아래 그림1012; 참고. Up-to-the-1800MHz 테스트에 사용.108; 메1064;보드에서 가1109; 1060;상1201;1004;/196; FSB오버클럭1012; Ȣ16;여 1800MHz 메모리를 사용Ȣ16;lj16; 0169;법1008; Reference FSB가 333MHz1064; 환ᅆ1;에서 프/196;세서를 450MHz/196;, 메모리를 1,333MHz/196; 셋ᔚ116;여 총 35%가 오버클럭.104;도/197; Ȣ16;여 1/2 ratio가 유1648;.104;면서 프/196;세서와 메모리가 실1656;1201;1004;/196; 1,800MHz수1456;1060; .104;도/197; Ȣ16;lj16; ,163;1060;다. Ȣ16;1648;만 실1228; 환ᅆ1;에서lj16; 1064;텔 /112;6140;런스 보드 특성상 프/196;세서에 1064;가.104;lj16; 1204;ǹ17;1060; 표시1204;ǹ17;과 차1060;가 1080;고, 쿨링1032; 한계에 따른 문1228;/196; 단시간내에lj16; 450MHz1032; 안1221;화에 문1228;가 1080;Ǻ12; 430MHz 에서 안1221;화를 확1064;Ȣ16;였고, 1060;ǐ12; 70176;수/196; 3.0 GHz 를 기/197;Ȣ16;여 기1456; 테스트 환ᅆ1;과 CPU ᇼ1;1089; 클럭1012; 맞추Ǻ12; FSB 0143; 그에따른 메모리 클럭1032; 차1060;만1060; 비교.112; 수 1080;도/197; Ȣ16;였다. Everest Memory Benchmark /196; Ǻ19;1008; 결과값1008; 순서대/196; 9,603 MB/s, 8,973 MB/s, 8,875 MB/s, 54.4 ns 1060;다. Down-to-the-CL6 JEDEC표1456;에 따르면 1,333MHz에서1032; 타1060;0141;1008; 9-9-9-241060;다. 1060;러한 High Latency lj16; DDR2에 비해 DDR31032; 메리트를 상NJ17;7176; 상쇄시켜버리lj16; 결과를 가1256;왔고, 빠른 타1060;0141;1012; 갖lj16; DDR2-800 메모리에 비해서 DDR3 환ᅆ1;1008; 오버클럭에 1080;Ǻ12;서도 그간 상NJ17;7176; 불리한 모습1012; 보여1452;었다. 물론 1060;런 0176;ᅆ1;에lj16; DDR31032; 기본 1204;ǹ17;1060; 1.5v /196; DDR2 에 비해 낮아 1204;/141;소모, 0156;열መ1;1032; 측면에서 1109;1216;도 1080;기lj16; Ȣ16;1648;만, 오버클럭킹 유1200;들에,172;lj16; ǥ12;1313;한 모습1012; 보여1456; ,163;1008; 사실1060;다. Ȣ16;1648;만, 프/196;세서를 오버클럭Ȣ16;1648; 않고 사용한다면 메모리를 FSB에 맞,172; 설122116;고 JEDEC1032; 스6169; 설1221;보다 1328;더 나1008; 메모리 6140;포먼스를 위Ȣ16;여 타1060;0141;1012; 6-6-6-18 까1648; 맞추Ǻ12; 보고 테스트 결과를 도출해 보았다. 1060;ǐ12;1032; 결과값1008; 순서대/196; 8,119 MB/s, 7,006 MB/s, 7,116 MB/s, 62.8 ns /196; 1333;1204;1032; 오버클럭 상태보다lj16; 다소 떨Ǻ12;1648;1648;만 기본1201;1064; 환ᅆ1;에서보다lj16; Ȧ16;씬 나1008; 모습1012; 보여1452;고 1080;다.

기1456;환ᅆ1;

860MHz / 8-8-8-24

666MHz / 6-6-6-18
Result 오버클럭용 메모리를 Ǻ12;떤 용도/196; Ǻ12;떻,172; 활용할1648;lj16; 항상 그/11119;1060; 유1200;1032; 몫1060;다. 시스템1032; 한계를 1060;-132;Ǻ12; 내lj16;데 그 가치를 모.160; 투1088;할 수도 1080;고, ț16;닝1032; -149;1008; 순1221;1060;라lj16; 1060;야기 처/100; 1452;Ǻ12;1652; 범위 내에서 뜻에 맞,172; 사용할 수도 1080;1012; ,163;1060;다.
최근들Ǻ12; 출시.108; 오버클럭용 DDR3 메모리lj16; DDR2와 비슷한 수1456;1032; 1204;ǹ17;1004;/196; ᇼ1;1089;1060; 안1221;화 .104;고, Latency면에서도 DDR2 에 비해 크,172; 뒤1648;1648; 않lj16; 수1456;1060; .104;면서 여타 DDR31032; 1109;1216;들1012; Ǻ19;Ǻ12;낼 수 1080;lj16; 구성1060;라lj16; 1216;1060; 눈에 띈다. 특7176; Transcend aXeRam DDR3-1800+1032; ᅆ1;우에lj16;, 1.8v 에서 8-8-8-24/196; ᇼ1;1089;Ȣ16;여 DDR3 1032; 1109;1216;1064; 1200;1204;ǹ17;1032; 가치를 1116;0156;견토/197; 해 1452;었다lj16; 1216;에서 1032;0120;가 1080;다고 Ȣ16;,192;다.
[1060; ,172;시물1008; 관리1088;님에 1032;해 2009-06-09 16:09:56 review에서 1060;ᇼ1; .120;]
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